1960-1970年，硅擴(kuò)散技術(shù)快速發(fā)展，技術(shù)人員在硅晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成較薄的硅彈性膜片，稱為硅杯。

1970-1980年，硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù)，擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術(shù)為主，發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù)

隨著技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在可以通過微機械加工工藝制作由計算機控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器，其線度可以控制在微米級范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜，使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。

激勵電源一般為 恒流源或者恒壓源

上海朝輝擁有25年傳感器核心技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)，為中國、美國、中東、意大利等國家的傳感器提供差壓芯體、擴(kuò)散硅芯體、微熔芯體等核心部件，并與客戶共同分享行業(yè)應(yīng)用的經(jīng)驗數(shù)據(jù)，在技術(shù)與價格上具備較高競爭力。