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PT124G-310擴(kuò)散硅壓力傳感器芯體耐腐蝕性好由于擴(kuò)散硅材料本身優(yōu)良的化學(xué)防腐性能好，即使傳感器受壓面不隔離，也能在普通使用中適應(yīng)各種介質(zhì)。硅材料又與硅油有良好的兼容性，使它在采用防腐材料隔離時結(jié)構(gòu)工藝更易于實現(xiàn)。加之它的低電壓、低電流、低功耗、低成本和本質(zhì)安全防爆的特點(diǎn)，可替代諸多同類型的同功能產(chǎn)品，具有*良的性能價格比。

PT124G-3500-60/60J耐高溫單晶硅壓力傳感器采用歐洲MEMS技術(shù)制作而成的單晶硅芯片，具有高精度、耐高溫、超高過載、高穩(wěn)等特性。內(nèi)嵌強(qiáng)大信號處理模塊，能實現(xiàn)靜壓、差壓與溫度的寬范圍補(bǔ)償，能提供*的穩(wěn)定性和測量高精度。

PT124G-3500-55/55D系列高精度單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。

PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。

PT124G-3500-55/55D系列316L不銹鋼單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。

PT124G-3500-55/55D系列負(fù)壓測量單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。